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公开/公告号CN1631776A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 上海交通大学;
申请/专利号CN200410068036.X
发明设计人 沈荷生;欧阳斯可;戴永兵;汪涛;何贤昶;
申请日2004-11-11
分类号C01B33/06;H05H1/46;
代理机构上海交达专利事务所;
代理人王锡麟
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
入库时间 2023-12-17 16:16:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-11-29
发明专利申请公布后的视为撤回
2005-08-24
实质审查的生效
2005-06-29
公开
机译: 公开了一种高熔点金属硅化物靶,其制备方法,高熔点金属硅化物薄膜以及半导体器件。高熔点金属硅化物靶是高熔点金属硅化物薄膜和高熔点金属硅化物薄膜。
机译: 金属硅化物金属锗化物的制备方法以及镍薄膜沉积
机译:使用四甲基二硅氧烷前驱体通过远程微波氢等离子体CVD制备碳氧化硅薄膜
机译:通过表面活性剂溅射制备的纳米级金属硅化物薄膜并通过RBS分析
机译:通过喷涂铸造复合靶法制备耐火金属硅化物的薄膜
机译:半导体过渡金属硅化物薄膜-制备,性能和可能的应用
机译:通过聚焦离子束注入和银金属化与薄膜硅化物层的集成形成纳米结构的硅化物。
机译:磁控溅射技术制备的金属氧化物薄膜在微波频率范围内的挥发性有机物检测
机译:生态友好友好的金属 - 硅化物半导体固定。用Fesi2合金靶通过脉冲激光沉积制备的.Beta.-Fesi2薄膜的薄膜结构。
机译:等离子体增强化学气相沉积金属和金属硅化物薄膜