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微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法

摘要

一种微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法,用于薄膜制备领域。本发明用微波氢等离子体热处理使纳米级厚度的金属薄膜与硅衬底实现固相反应制备金属硅化物薄膜,首先将纳米级厚度的金属薄膜预沉积于硅衬底上,并置于微波加热装置中的反应室中,反应室抽真空后充入氢气,用于产生加热等离子体和还原性保护氛围,然后微波由反应室的顶部馈入并产生氢等离子体,硅衬底温度通过调节微波功率控制,并由外部红外测温仪透过石英窗口测量,当温度达到设定值后,调节微波功率,使温度达到稳定,金属薄膜与硅衬底在等离子体高温和微波的双重作用下进行固相反应,形成金属硅化物薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN1631776A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN200410068036.X

  • 申请日2004-11-11

  • 分类号C01B33/06;H05H1/46;

  • 代理机构上海交达专利事务所;

  • 代理人王锡麟

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2023-12-17 16:16:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-11-29

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2005-08-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-06-29

    公开

    公开

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