法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-12-25
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L51/40 授权公告日:20080910 终止日期:20121107 申请日:20031107
专利权的终止
2008-09-10
授权
授权
2007-01-10
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20061208 申请日:20031107
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2006-12-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-05-11
公开
公开
机译: AlN晶体,AlN晶体基质,具有磊晶层的AlN晶体基质和半导体装置的表面处理方法
机译: 主晶体,主晶体基体,具有磊晶层的主晶体基体和半导体器件的表面处理方法
机译: AlN晶体的表面处理方法,AlN晶体基质,具有磊晶层的AlN晶体基质以及半导体器件