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在凹槽刻蚀之前通过干涉法实现的现场监测进行平坦化刻蚀的方法

摘要

提供了一种在衬底中进行凹槽刻蚀操作的方法,其包括:在衬底上形成硬掩膜,并且利用该硬掩膜在衬底中刻蚀出沟槽,在硬掩膜之上和该沟槽中形成介电层,该介电层衬垫该沟槽。然后将导电材料涂敷在介电层之上,使得该导电材料覆盖在该硬掩膜之上并填充该沟槽,对该导电材料进行刻蚀以基本上使导电材料平坦。在即将把所有的导电材料从覆盖硬掩膜的介电层上去除之前,导电材料的刻蚀触发终点。对导电材料进行凹槽刻蚀,以去除覆盖硬掩膜的介电层上的导电材料,并且从沟槽中去除至少一部分导电材料。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/66 授权公告日:20070725 终止日期:20181030 申请日:20021030

    专利权的终止

  • 2007-07-25

    授权

    授权

  • 2005-04-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-02-16

    公开

    公开

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