用离子束改性技术控制半金属场效应管沟道材料的载流子密度

摘要

半金属材料BiSb石墨(含碳纤维和碳纳米管)具有电阻率低(比铜高1～2个量级)同时载流子密度也低(N＝1017～1019/cm3接近半导体量级)的特性，可以利用其载流子密度低便于控制的特性来做半金属沟道的场效应管，其沟道电阻比半导体小2～3个量能是这种场效应的优势。从目前条件看，利用静电稳定控制1019/cm3密度载流子是有一定难度的，即无法实现开关功能。本发明提出了利用离子改性技术，局部减小半金属沟道载流子密度的解决方案，可以使各种半金属作导电沟道的场效应管都实现开关特性。