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自蔓延高温合成氮化硅镁粉体的制备方法

摘要

一种自蔓延高温合成氮化硅镁(MgSiN2)粉体的制备方法,属于陶瓷材料制备领域。本发明是由镁粉与氮化硅粉按摩尔比3.0~4.0∶1混合,或加入少量卤化物添加剂,在1~10MPa的氮气或者氮气与氢气(95~98%∶5~2%)的混合气中反应制备的。在生产过程中,不需预先压块,反应是在碳毡制的直立环状筒或盘状容器中进行。本发明采用自蔓延高温合成工艺,与文献报道相比,不仅具有无环境污染、能耗低、适合工业大规模生产的优点,而且合成产物的纯度高,氧含量可控制为<0.5%,适用于制备高强度、高导热氮化硅和氮化铝陶瓷基板材料和微电子封装材料的添加剂等。

著录项

  • 公开/公告号CN1557709A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN200410016198.9

  • 申请日2004-02-10

  • 分类号C01F5/00;C04B35/64;C04B35/65;

  • 代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;

  • 代理人潘振甦

  • 地址 200050 上海市定西路1295号

  • 入库时间 2023-12-17 15:47:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-09-17

    发明专利申请公布后的驳回

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2005-03-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-12-29

    公开

    公开

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