一种电子束缩小投影曝光成像系统

摘要

本发明涉及一种可实现50纳米以下分辨率的电子束缩小投影曝光成像系统，包括电子枪、聚光镜、照明物镜、非对称缩小投影成像物镜以及物镜光阑，其中该电子枪发出的电子经过聚光镜和照明物镜均匀照射在掩模上，通过缩小投影成像物镜和物镜光阑，在硅片上得到曝光图型，其特征在于：该缩小投影成像物镜由非对称磁透镜组成，第一透镜和第二透镜的励磁电流相反，在透镜的下部设有磁屏用以屏蔽漏磁。本发明通过适当位置设计磁屏的设计方法，解决了由于增加磁透镜的极间距(S)和极靴孔的直径(D)产生的漏磁问题和修正电磁场分布，限制LA和IA满足其远心的成像光学系统的要求，在减少像差的同时，不带来附加的畸变。实现了高分辨率和高产率。