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整合微机电装置及集成电路的制造流程的方法

摘要

一种形成微机电装置及集成电路的方法,其基本步骤包括:提供半导体基材包含第一区域和第二区域,形成集成电路装置在第一区,形成第一绝缘层在半导体基材上,蚀刻第一绝缘层以形成第一介电层在第一区和第二介电层在第二区,其中,第二介电层跟第一介电层间隔开,形成第二绝缘层覆盖于半导体基材、第一介电层及第二介电层上,蚀刻第二绝缘层以露出第一介电层,形成第三绝缘层于半导体基材、第二绝缘层及第一介电层上,蚀刻第三绝缘层以形成多个导孔以及形成金属层于半导体基材上以填满上述导孔。

著录项

  • 公开/公告号CN1549331A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN03128551.1

  • 发明设计人 杜硕伦;江禄山;朱世麟;

    申请日2003-05-07

  • 分类号H01L21/82;B81B1/00;

  • 代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;

  • 代理人潘培坤

  • 地址 台湾省新竹

  • 入库时间 2023-12-17 15:39:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-01-24

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2005-01-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-11-24

    公开

    公开

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