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公开/公告号CN1545644A
专利类型发明专利
公开/公告日2004-11-10
原文格式PDF
申请/专利权人 纳幕尔杜邦公司;
申请/专利号CN01819721.3
发明设计人 L·L·伯格;M·K·克劳福特;R·H·弗伦奇;R·C·维兰德;F·C·小朱姆斯特;
申请日2001-11-21
分类号G03F7/09;G03F7/004;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人赵苏林
地址 美国特拉华州
入库时间 2023-12-17 15:34:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-05-31
发明专利申请公布后的视为撤回
2005-01-12
实质审查的生效
2004-11-10
公开
机译: 涂有含肉桂酸基聚合物的光刻胶的抗反射层,用于157 nm光刻
机译: 在半导体衬底中形成结构的方法包括将光致抗蚀剂层上的光刻结构转移到抗反射层中
机译: 用于形成光刻术抗反射膜的组合物以及使用该抗反射层合体的组合物
机译:深紫外光刻中底部抗反射层的氧化钛膜
机译:通过氯化铯自组装光刻作为抗反射层,克服了使用选择性区域硅纳米柱制造的太阳能电池的电接触问题
机译:使用用于I线光刻的新型无机底抗反射层的过程和分辨率提高
机译:用于电子显微镜和光刻的微制造电子/离子源
机译:生物启发的TiO2纳米锥抗反射层用于改善VO2热致变色智能窗户的光学性能
机译:深紫外光刻中用于底部抗反射层的氧化钛膜
机译:设计用于微光刻的抗蚀材料