一种基于金锡共晶的硅/硅键合方法

摘要

本发明属于MEMS和IC封装技术，具体为一种基于金锡共晶的硅/硅键合方法。该方法采用Au/Sn的多层膜结构，通过在电热板上加温加压的方式实现了Au/Sn共晶键合。由于锡层表面镀有一定厚度的金膜(镀锡、镀金膜在真空中一次完成)，在短时间加热键合过程中，通过在热板区通惰性气体，减少了锡层的氧化。在键合衬底片下垫上一层耐高温柔性垫层，可有效防止因硅片厚度不均所导致的局部受力不均匀、或压力过大引起的键合片碎裂。通过调整Au、Sn膜层厚度，完成了较大面积的硅片间的Au/Sn共晶键合。本发明克服了现有技术中锡表面易氧化影响键合质量和只能实现小面积键合的问题，且无须在真空条件下封装，具有键合速度快、生产成本低等优点。