公开/公告号CN1531023A
专利类型发明专利
公开/公告日2004-09-22
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;
申请/专利号CN200410039780.7
申请日2004-03-17
分类号H01L21/20;H01L21/324;H01L21/00;B23K26/00;
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人刘宗杰;叶恺东
地址 日本神奈川县厚木市
入库时间 2023-12-17 15:34:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S5/00 授权公告日:20100623 终止日期:20180317 申请日:20040317
专利权的终止
2010-06-23
授权
授权
2006-05-17
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-09-22
公开
公开
机译: 表面发射半导体激光器,制造表面发射半导体激光器的方法,光学设备,光照射设备,信息处理设备,光传输设备,光空间传输设备和光传输系统
机译: 使用聚焦光照射的基板制造半导体薄膜的方法,使用聚焦光照射的基板制造半导体薄膜的装置,使用聚焦光照射的基板选择性地生长半导体薄膜的方法以及使用聚焦光照射的基板的半导体元件
机译: 可以使来自上方的半导体激光器单元的激光束的波长和相位与来自下方的半导体激光器单元的激光束的波长和相位相匹配的大功率半导体激光器阵列装置,该半导体激光器阵列装置的制造方法以及使用该装置的多波长激光发射装置半导体激光器阵列装置