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激光照射装置、激光照射方法及半导体装置的制造方法

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本发明提供减少激光的照射不均匀的激光照射装置、激光照射方法及半导体装置的制造方法。激光照射装置具备激光源(11)和波形成形装置(20)。波形成形装置(20)包括：第1波形成形部(30)，其通过对将激光源(11)产生的脉冲激光(L1)由第1分束器(31)分支得到的2条光束(L11、L12)赋予与光程差对应的延迟，从而成形脉冲激光的脉冲波形；波长板(37)，其使来自第1波形成形部(30)的脉冲激光(L13)的偏振状态变化；以及第2波形成形部(40)，其通过对由第2分束器(41)分支得到的2条光束(L15、L16)赋予与光程差对应的延迟，从而成形脉冲激光(L14)的脉冲波形。

著录项

公开/公告号CN113661561A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-16

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社日本制钢所;
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申请/专利号CN201980095320.0
发明设计人大森贤一;郑石焕;
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申请日2019-11-15
分类号H01L21/20(20060101);H01L21/268(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/786(20060101);H01S3/00(20060101);H01S3/10(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人马立荣;周丽娜
地址日本东京都
入库时间 2023-06-19 13:16:59

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-02-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/20 专利申请号:2019800953200 申请日:20191115

实质审查的生效

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