在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构的方法

摘要

本发明一种在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构的方法，包括如下步骤：1)取表面生长有碳化硅单晶层的硅材料或碳化硅单晶材料，进行清洗处理，作为高速器件结构的外延的衬底；2)在碳化硅单晶外延层上生长晶格渐变过渡层；3)进行电学结构生长；4)利用获得的材料制作器件或电路；5)器件或电路正面工艺结束后，将背面的硅去掉，以保证器件的良好散热性能。