スパッタリング法によるHfO_2基強誘電体厚膜のシリコン基板上への室温製膜とその電気特性および圧電特性評価

摘要

[緒言] 酸化ハフニウム(HfO_2)は2011年に強誘電性が報告されて以来[1]、新規強誘電体材料として注目されている。一方で強誘電体HfO_2は圧電性も有することから、CMOSプロセスとの親和性が高い圧電膜としても期待できる。しかしこれまでの報告のほとhどは、約100 nm以下の薄膜でしか強誘電性を示さない、或いは、厚膜化ができたとしても製膜および熱処理時の温度が 400°C以上と比較的高いという課題が残されていた。本研究室で