公开/公告号CN1450597A
专利类型发明专利
公开/公告日2003-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 联华电子股份有限公司;
申请/专利号CN02126321.3
申请日2002-07-19
分类号H01L21/027;G03F7/00;
代理机构北京集佳专利商标事务所;
代理人王学强
地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号
入库时间 2023-12-17 14:57:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-05-24
授权
授权
2004-09-15
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-10-22
公开
公开
机译: 在介电体上准备开口的方法,在基体上提供的低介电常数层上准备开口的方法,在多芯片组件上制备氟碳聚合物层的窗口的方法,去除介电层的脊,电绝缘层的方法电气覆盖,覆盖和集成电路芯片的电路封装
机译: 具有具有低介电常数的金属层的具有低介电常数的材料的第一和第二半导体元件及其制造方法
机译: 形成具有低介电常数和介电层的介电层的方法和使用相同的显示装置