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Semiconductor element with first and second, by means of a material with low dielectric constant separate metallization layers and method for producing the element

机译:具有具有低介电常数的金属层的具有低介电常数的材料的第一和第二半导体元件及其制造方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号DE69514686T2

    专利类型

  • 公开/公告日2000-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ADVANCED MICRO DEVICES INC.;

    申请/专利号DE1995614686T

  • 发明设计人 CHEUNG W.;CHANG S.;

    申请日1995-11-22

  • 分类号H01L23/532;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 01:40:23

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