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公开/公告号CN1410590A
专利类型发明专利
公开/公告日2003-04-16
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉化工学院;
申请/专利号CN02147704.3
发明设计人 马志斌;汪建华;
申请日2002-11-19
分类号C23C18/00;
代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司;
代理人王守仁
地址 430074 湖北省武汉市洪山区卓刀泉路366号
入库时间 2023-12-17 14:40:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-09-07
发明专利申请公布后的驳回
2003-07-02
实质审查的生效
2003-04-16
公开
机译: 本发明涉及一种掺杂有氮的类金刚石薄膜的制造方法,类金刚石薄膜和具有该类薄膜的场发射显示装置
机译: 合成类金刚石薄膜和类金刚石薄膜的方法
机译: 金刚石和类金刚石薄膜和涂层,是通过沉积在包含金刚石颗粒分散体的基材上制备的
机译:脉冲滤波阴极真空电弧沉积制备非晶类金刚石薄膜的光学和力学性能之间的相关性
机译:球形尖端的纳米压痕法制备类金刚石薄膜的基片独立应力应变行为
机译:脉冲等离子体化学气相沉积法从C_2H_2和H_2混合物制备类金刚石薄膜的结构和力学性能
机译:金刚石和类金刚石薄膜的场发射
机译:多功能纳米复合含钴类金刚石薄膜。
机译:SiO2球形掩模的ICP刻蚀技术制备金刚石亚微米透镜和圆柱体
机译:微波功率对ECR等离子体增强直流磁控溅射制备氢化类金刚石薄膜性能的影响*
机译:在锗衬底上制备类金刚石薄膜