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基于类金刚石薄膜中间层的纳米金刚石薄膜制备方法

摘要

本发明公开了一种基于类金刚石薄膜中间层的纳米金刚石薄膜制备方法,利用离子束复合中频溅射法在单晶硅衬底上预先沉积一层类金刚石薄膜作为中间层;随后在类金刚石薄膜中间层上利用微波等离子体气相沉积法,外加负偏压辅助沉积得到纳米金刚石薄膜。本发明利用类金刚石薄膜产生高浓度的碳源,增加碳的过饱和度,从而提高了纳米金刚石薄膜的形核密度;在偏压形核过程中引入大量的原子氢,增加刻蚀效率,对降低纳米金刚石薄膜的晶粒尺寸,提高异质外延纳米金刚石薄膜的形核密度,以及制备高质量纳米金刚石薄膜有很大意义。

著录项

  • 公开/公告号CN109811303A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN201910060964.8

  • 申请日2019-01-23

  • 分类号C23C14/06(20060101);C23C14/02(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/22(20060101);C23C14/34(20060101);C23C16/27(20060101);C23C28/00(20060101);

  • 代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人顾勇华

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2024-02-19 09:48:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20190123

    实质审查的生效

  • 2019-05-28

    公开

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