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使用脉动宽带光源原位监测等离子体刻蚀和淀积工艺的方法和装置

摘要

一种用于使用一个提供高瞬时功率脉冲和具有宽光谱宽度的脉冲闪光灯、原位监测薄膜厚度以及刻蚀或淀积速率的干涉测量方法和装置。闪光灯与用于检测从一晶片反射的光的光谱摄制仪之间的光路实质上对于光谱的紫外线区是可透射的。利用软件算法计算膜厚度以及刻蚀和淀积速率。

著录项

  • 公开/公告号CN1377457A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2002-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 拉姆研究公司;

    申请/专利号CN00813641.6

  • 发明设计人 安德鲁·佩里;兰德尔·S·蒙特;

    申请日2000-09-27

  • 分类号G01B11/06;H01L21/66;

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人李辉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 14:27:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2004-05-05

    授权

    授权

  • 2003-01-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-10-30

    公开

    公开

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