具有自行对准金属硅化物组成单位的罩幕式只读存储器的制造方法

摘要

一种高密度罩幕式只读存储器组件以及利用自行对准金属硅化物工艺来制造高密度罩幕式只读存储器组件的方法。此方法系包括埋入式位线N+、可形成非可编程存储单元的厚氧化层、已去除厚氧化层而可形成可编程存储单元的薄栅极氧化层、作为字符线的多晶硅栅极结构以及沉积的单一金属硅化层。因为只需沉积一层金属硅化物,而简化了工艺。在上述的只读存储器组件中的字符线与部分埋入式位线上形成有硅化金属层,而此硅化金属层可降低位线与字符线之间的电阻,因而可加快上述只读存储器组件的存储单元的操作速率。