摘要
Abstract
引言
第一章 半导体器件相关理论
第一节 电子的性质
第二节 杂质半导体
第三节 PN结基本原理
第四节 半导体表面
第五节 表面势
第六节 MOS场效应晶体管的基本特性
第七节 光罩式只读存储器(Mask ROM)工作原理
第二章 光罩式只读存储器新工艺的导入
第一节 光罩相关信息
第二节 工艺流程
第三节 重点工艺条件的建立
第三章 良率提升
第一节 电性参数RS BN+与良率的相关性
第二节 Gate Poly、Spacer和Contact蚀刻与良率的相关性
第三节 Vial蚀刻与良率的相关性
第四节 器件电性参数与良率的相关性
第五节 良率提升总结
第四章 可靠性验证
一、相关定义
二、主要测试项目及结果
三、结论
第五章 结论
参考文献
致谢
