具有内在铜离子迁移势垒的低介电常数的介电材料

摘要

提供了一种用来防止含有铜区域的半导体结构中的铜离子迁移的层间介质。本发明的层间介质包含介电常数为3.0或更小的介电材料以及能够高度键合铜离子又可溶解在介电材料中的添加剂。低k介质中添加剂的存在,使得能够免去诸如SiO2或Si3N4之类的常规无机势垒材料。