公开/公告号CN1280384A
专利类型发明专利
公开/公告日2001-01-17
原文格式PDF
申请/专利权人 因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司;
申请/专利号CN00108237.X
申请日2000-04-30
分类号H01L21/027;G03F7/00;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人梁永
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 13:46:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-06-08
专利权的视为放弃
专利权的视为放弃
2002-07-10
实质审查的生效
实质审查的生效
2001-01-17
公开
公开
机译: 在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法降低金属间介电层的寄生电容的同时降低特性,同时减小p的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法
机译: 一种用于减小具有沟槽隔离的半导体器件中的晶体管中的窄沟道的影响的方法,以及这种半导体器件。
机译: 减小在工件的表面“机械加工”中受影响的层白炭黑的厚度的方法。用于在硬化金属中加工工件的方法,用于减小热力学影响的层的厚度的设备在金属的“表面加工”中是温带的,用于软化由正在加工,硬化的金属工件加工而成的表面中的热机械负荷的有害缺陷的方法和设备。用于在硬化金属中加工工件