首页> 中国专利> 在半导体器件制造中减小非均匀区影响的方法和设备

在半导体器件制造中减小非均匀区影响的方法和设备

摘要

在制造集成电路的各个工序中能影响邻近晶片周边的芯片质量的非均匀边缘效应可被减小。这是用只在邻近晶片周边区域印制芯片的图形时增大分步重复曝光机的曝光面积来实现的。因此在有用的图形区外也印制附加的无用图形区以减小非均匀效应。这样就增加了印制设备的产量。

著录项

  • 公开/公告号CN1280384A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2001-01-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN00108237.X

  • 发明设计人 S·舒尔泽;F·扎克;

    申请日2000-04-30

  • 分类号H01L21/027;G03F7/00;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人梁永

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 13:46:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2005-06-08

    专利权的视为放弃

    专利权的视为放弃

  • 2002-07-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2001-01-17

    公开

    公开

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