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热壁密装低温低压淀积二氧化硅薄膜技术

摘要

一种低温低压热壁密装淀积二氧化硅薄膜的技术。现有技术淀积的二氧化硅薄膜台阶覆盖性较差,填充深孔能力不佳,炉产量较低。本发明用臭氧和正硅酸酯为原料,反应温度150~550℃,气体压力10—10

著录项

  • 公开/公告号CN1104264A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1995-06-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN94112298.0

  • 发明设计人 王季陶;解胜启;

    申请日1994-09-02

  • 分类号C23C16/40;H01L21/31;

  • 代理机构复旦大学专利事务所;

  • 代理人姚静芳

  • 地址 200433 上海市邯郸路220号

  • 入库时间 2023-12-17 12:35:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2000-01-12

    专利申请的视为撤回

    专利申请的视为撤回

  • 1995-06-28

    公开

    公开

  • 1995-06-07

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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