机译:超净低压CVD法在B吸附的Si(100)上外延生长Si时重B原子层的掺杂特性
机译:超净低压Cvd系统在自限B吸附Si_(1-x)ge_x(100)上进行Si外延生长
机译:在超净低压CVD中,PH_3和Si_2H_6在应变的Si_(1-x)Ge_x / Si(1 0 0)上交替发生表面反应,从而使P原子层掺杂的Si膜外延生长
机译:超低温热壁低压CVD低温SiGe(C)表观生长
机译:Si和SiGe / Si异质结构在热壁管状低压化学气相沉积系统中的选择性外延生长。
机译:通过RPCVD在低温下基于高质量的Si基外延生长的过程步骤
机译:使用二氯硅烷的高生长速率4H-siC外延生长 热壁CVD反应器