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【2h】

Process Steps for High Quality Si-Based Epitaxial Growth at Low Temperature via RPCVD

机译：通过RPCVD在低温下基于高质量的Si基外延生长的过程步骤

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期刊名称 Materials
作者
Jongwan Jung; Baegmo Son; Byungmin Kam; Yong Sang Joh; Woonyoung Jeong; Seongjae Cho; Won-Jun Lee; Sangjoon Park;
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作者单位

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年(卷),期 2021(14),13
年度 2021
页码 3733
总页数 11
原文格式 PDF
正文语种
中图分类外科学;
关键词

机译：外延;RPCVD;低温;Si;SiGe;杂质;原位清洁;预清洁;表面处理;

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