直拉(切氏法)硅单晶的氮保护气氛

摘要

直拉硅单晶的氮保护气氛属于半导体材料制造技术。在直拉(切氏法)硅单晶技术中，以氮气作为拉晶的保护气体。所用的氮气纯度为99.999％以上，进入硅单晶炉内氮气流量为2—50升/分，炉内氮气压力为0.5—60乇。