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一种新型两端光栅压结构SiC光探测器及其制备方法

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摘要

本发明提供了一种新型两端光栅压结构SiC光探测器及其制备方法，包括以下步骤：1)在P型SiC衬底上制备N型重掺杂的源区和漏区，即形成MOSFET的源、漏区域；2)在N型重掺杂的源区和漏区之间的沟道区之上沉积SiO

1. 一种新型两端光栅压结构SiC光探测器及其制备方法 [P] . 中国专利： CN111180547A . 2020-05-19
2. 一种基于亚波长光栅的量子阱红外光探测器及其制备方法 [P] . 中国专利： CN110323288A . 2019-10-11
3. A process for the preparation of a display device with diffraction grating structures. [P] . 德国专利： DE69022349T2 . 1996-02-08

机译：一种具有衍射光栅结构的显示装置的制备方法。
4. 3 A novel three dimensional curvilinear structure and a method of preparing the same [P] . KR102333494B1 . 2021-11-30

机译： 3一种新型三维曲线结构及其制备方法
5. 3 A novel three dimensional curvilinear structure and a method of preparing the same [P] . KR20210103119A . 2021-08-23

机译： 3一种新型三维曲线结构及其制备方法