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兆瓦级光导半导体器件及电极连接与绝缘封装方法

摘要

本发明具体涉及一种光子微波用兆瓦级光导半导体器件及电极的连接与绝缘封装方法。由绝缘封装盒、正电极、负电极、第二固定板、宽禁带光导半导体晶圆组成。本发明以光导半导体绝缘封装盒为主体结构,通过电极涂敷与绝缘胶灌封,很好的解决了微米级光导半导体器件和外接电极的欧姆接触和耐高压绝缘问题。通过优化电极结构,改进涂敷、灌封方式等措施,解决了光导半导体器件与外接电路的欧姆接触问题,大幅度减少了光导半导体器件的欧姆接触阻抗,同时也保证了欧姆接触的稳定性。本发明可以有效提高在几十ns脉宽、几十kV量级重复频率脉冲高压条件下,光导半导体器件的耐压绝缘特性和系统整体紧凑化程度,实现兆瓦量级光子微波输出。

著录项

  • 公开/公告号CN111584434A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;

    申请/专利号CN202010453492.5

  • 申请日2020-05-25

  • 分类号H01L23/043(20060101);H01L23/10(20060101);H01L23/18(20060101);H01L21/52(20060101);H01L21/54(20060101);

  • 代理机构43257 湖南企企卫知识产权代理有限公司;

  • 代理人任合明

  • 地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号

  • 入库时间 2023-12-17 11:49:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-25

    公开

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