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一种磁流变阻尼器件内部磁流变液的沉降监测方法

摘要

本发明公开了一种磁流变阻尼器件内部磁流变液的沉降监测方法,包括如下步骤:1)布置监测磁路结构;2)通过交流电流源向磁路的上、下激励线圈施加交流电流;3)计算当阻尼器内沉降未发生时的监测输出;4)计算当阻尼器内沉降体生成并逐渐累积时的监测输出;本发明通过在阻尼器内缸底部布置监测磁路结构,基于互感变压器式传感原理,能够实时检测阻尼器中磁流变液的的沉降状态。

著录项

  • 公开/公告号CN111578895A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆大学;

    申请/专利号CN202010314905.1

  • 发明设计人 张红辉;邹致远;苏杭;

    申请日2020-04-21

  • 分类号G01C5/00(20060101);

  • 代理机构50237 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人王翔

  • 地址 400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

  • 入库时间 2023-12-17 11:41:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-25

    公开

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