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一种计算硫化锡-硒化锡异质结负微分电阻效应的方法

摘要

本发明提供了一种计算硫化锡‑硒化锡异质结负微分电阻效应的方法,首先,在ATK软件中构建硫化锡和硒化锡的晶体结构,对其晶格常数进行优化;计算两种材料不同方向上的晶格匹配度,选取匹配度最高的方向作为界面构建异质结并优化;通过Device模块选取合适的周期作为源极和漏极,形成“左电极‑异质结‑右电极”式的器件结构;完成器件建模后,设定截断能和实空间网格密度;设定能量的收敛标准和边界条件;在器件两端施加偏压,通过密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法,仿真不同偏压下异质结的伏安特性曲线,分析其负微分电阻效应。本发明具有方法可靠、计算效率快、适用性广的优点,可以广泛应用于二维材料及其异质结的电学性能的研究。

著录项

  • 公开/公告号CN111429982A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏大学;

    申请/专利号CN202010323475.X

  • 发明设计人 颜晓红;杨阳;王权;

    申请日2020-04-22

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

  • 入库时间 2023-12-17 11:03:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G16C60/00 申请日:20200422

    实质审查的生效

  • 2020-07-17

    公开

    公开

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