一种在非金属基底上快速CVD生长单层石墨烯的方法

摘要

本发明涉及石墨烯新材料及其化学气相沉积(CVD)制备技术，具体为一种在非金属基底上快速CVD生长单层石墨烯的方法，适于制备岛状石墨烯及连续石墨烯薄膜。该方法将非金属基底在非氧化性气氛中升温至生长温度，保持生长温度不变，向反应体系中充入碳源、氢气、载气和水蒸气，采用化学气相沉积技术，在基底上进行反应生长单层石墨烯。本发明通过引入水蒸气抑制多层石墨烯的形核和长大、减少石墨烯的缺陷结构，同时提高石墨烯的生长速度。采用本发明所述方法，可在非金属基底上快速生长出高质量的单层石墨烯薄膜，从而避免常规转移过程对石墨烯器件性能的不利影响。