以SiCl<,4>-H<,2>为源气体用PCVD方法低温快速生长晶化硅薄膜

摘要

以SiCl<,4>和H<,2>为气源,用等离子体化学气相沉积技术,通过控制和选择工艺条件,在小于300℃的低温下快速沉积晶化硅薄膜,沉积速率高达3A/s以上.本文研究沉积速率与工艺条件的依赖关系和对薄膜结晶度的影响.