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通过Bi、Cu、Cd掺杂提高SnTe热电性能的方法

摘要

本发明属于材料领域,公开了通过Bi、Cu、Cd掺杂提高SnTe热电性能的方法,按0.99‑x:x:0.03:0.1:1.05的摩尔比例称取Sn粉、Bi粉、Cd粉、Cu粉和Te粉,其中x的值为0.01~0.07,随后放入石英管内抽真空封管,依次通过箱式炉烧结、箱式炉退火、快速热压炉烧结,得到Bi、Cu、Cd掺杂的SnTe化合物热电材料。本发明方法工艺流程简单,操作性强,可重复性高,所制得的SnTe掺Bi、Cu、Cd化合物具有结晶度高、致密度高等特性,并可大幅提高SnTe热电材料的性能,具有很强的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN111312888A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN202010036059.1

  • 申请日2020-01-14

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

  • 入库时间 2023-12-17 10:20:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L35/16 申请日:20200114

    实质审查的生效

  • 2020-06-19

    公开

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