Bi再掺杂对Mg2Si0.985Bi0.015热电材料性能的影响

摘要

本文考察Bi再掺杂对Mg2Si0.985Bi0.015基体的组成、微观结构以及电子输运与热导率等方面的影响.采用X线衍射仪(XRD)和电子能谱(EDS)等对样品进行表征分析.结果表明:再掺杂的Bi除部分进入Mg2Si0.985Bi0.015基体外,其余在晶界处生成Mg3Bi2.由于Mg2Si中Bi量的提高使得载流子浓度增加,进而增大样品的电导率,而塞贝克系数受载流子浓度变化和杂相的影响甚微.热导率则因Bi量增加和杂相的存在略有降低.在873 K时,2％Bi再掺杂样品的最高热电优值(ZT)为0.78,比未再掺杂样品提升约10％,说明Bi再掺杂对Mg2Si基体材料热电性能有→定提升作用.