退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN111341874A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-26
原文格式PDF
申请/专利权人 合肥工业大学;
申请/专利号CN202010156792.7
发明设计人 王斌;张悦;曾斌;赵妍;李心贺;吴春艳;
申请日2020-03-09
分类号
代理机构安徽省合肥新安专利代理有限责任公司;
代理人卢敏
地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
入库时间 2023-12-17 10:12:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/109 申请日:20200309
实质审查的生效
2020-06-26
公开
机译: 基于石墨烯/黑磷/钼二硫化物/石墨烯异质结的快速光电探测器及其制备方法
机译: 基于石墨烯/钼二硫化物/石墨烯异质结的快速光电探测器及其制备方法
机译: 基于黑色磷/石墨烯/钼二硫化异质结的光电探测器及其制备方法
机译:Si / CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2核-壳异质结,用于敏感和自驱动的紫外-可见-近红外宽带光电探测器
机译:SI / CUIN_(0.7)GA_(0.3)SE_2核心壳异质结,用于敏感和自驱动UV-VIR-NIR宽带光电探测器
机译:基于垂直对准的PtSe_2 / GaAs异质结的快速,自驱动,空气稳定和宽带光电探测器
机译:通过掺入石墨烯来调节p-CuO薄膜的光学性能,以实现出色的p-CuO / n-Si异质结光电探测器性能
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于SnO2 / CuO纳米异质结的高性能可见盲光电探测器
机译:光电探测器:基于垂直对齐的PTSE2 / GaAs异质结的快速,自驱动,空气稳定和宽带光电探测器(ADV。Funct。Matter。16/2018)
机译:使用多个siGe / si层的长波长堆叠siGe / si异质结内部光电发射红外探测器