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公开/公告号CN111310395A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-19
原文格式PDF
申请/专利权人 同济大学;株洲中车时代半导体有限公司;
申请/专利号CN202010073202.4
发明设计人 余有灵;杜星;吴江枫;王翠霞;李诚瞻;
申请日2020-01-22
分类号
代理机构南京纵横知识产权代理有限公司;
代理人耿英
地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号
入库时间 2023-12-17 10:12:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-19
公开
机译: SiC衬底,SiC基板制造方法,SiC半导体器件和SiC半导体器件的生产方法
机译: 形成氧化物膜的方法,半导体器件,半导体器件的制造方法,氧化工艺以及使用该氧化物膜的SiC-MOS型半导体器件以及使用该SiC衬底的SiC-MOS集成电路
机译: 制造SiC晶体以减少基体和SiC晶体,SiC单晶膜,SiC半导体元件,SiC单晶体基体和电子器件中的微管传播的方法以及制造SiC球体的方法
机译:三维器件仿真中使用等效电路模型的器件划分方法
机译:二维器件仿真中使用等效电路模型的器件划分方法
机译:迪斯科开发了用于SiC晶圆的新工艺'KABRA'工艺:降低SiC器件成本的方法!
机译:基于薄膜磁性材料的射频器件的非线性等效电路模型
机译:非线性光子器件全波仿真的时域矢量有限元方法。
机译:基于双4H-SiC JBS和SBD器件的高性能温度传感器
机译:微波电子器件等效电路模型与黑匣子非线性模型的比较
机译:制造纳米结构和非线性的方法及由其制造的器件。