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王迪迪; 宁平凡; 刘婕; 张永刚;
天津工业大学 电气工程与自动化学院 天津 300387;
天津工业大学 电子与信息工程学院 天津 300387;
大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心 天津 300387;
SiC MOSFET; ABM器件; 阈值电压; 导通电阻; 数据表;
机译:商业SiC器件加工:基于SiC的功率器件的现状和要求
机译:一种基于电流 - 电压/电容 - 电压迹线的累积和Si器件中的4H-SiC金属氧化物半导体器件的表征研究与T的平均氧化物场的推导
机译:基于3C-SiC MOS的器件:从材料生长到器件表征
机译:AC / DC转换器使用SIC器件模拟噪声的建模研究
机译:使用低电压(LV)和高压(HV)碳化物(SIC)器件,实现高效率中电压转换器和用于高速驱动器和其他网格应用,以及高压(HV)碳化硅(SIC)器件
机译:基于双4H-SiC JBS和SBD器件的高性能温度传感器
机译:基于高压SiC的功率电子器件在中压配电网格中的优点
机译:使用碳化硅(siC)交付订单交付订单交付订单开发高温,高功率,高效率,高压转换器:基于材料和器件属性的siC VJFET设计和性能的关键分析
机译:SiC衬底,SiC基板制造方法,SiC半导体器件和SiC半导体器件的生产方法
机译:形成氧化物膜的方法,半导体器件,半导体器件的制造方法,氧化工艺以及使用该氧化物膜的SiC-MOS型半导体器件以及使用该SiC衬底的SiC-MOS集成电路
机译:制造半导体器件的方法,用于处理基体的方法,用于基体的处理设备以及能够形成具有低温特性的,基于SiC的层的,能够形成具有SiC的层的非过渡性计算机可读记录介质
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