东芝新器件结构问世,可显著提高SiC MOSFET的性能

摘要

目前碳化硅(SiC)被广泛视为下一代功率器件的材料,因为它比硅的电压更高,损耗更低。然而,虽然碳化硅器件具有很大的发展前景,但该类器件的产品可靠性一直备受争议,这也使其使用情况和市场增长受到了阻碍。其中一个重要问题是当电流流过位于功率MOSFET源极和漏极之间的PN二极管[1]时,晶体缺陷会扩大,这会增加导通电阻并降低器件可靠性。