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功率器件模块封装用高导热氮化硅陶瓷基板与铜的连接方法

摘要

本发明提供一种功率器件模块封装用高导热氮化硅陶瓷基板与铜的连接方法,包括将高导热氮化硅陶瓷封装基板和铜置于酒精中清洗,然后采用砂纸对高导热氮化硅陶瓷封装基板和铜逐级打磨,最后采用抛光液对高导热氮化硅陶瓷封装基板和铜逐级抛光,在真空状态下,对待键合的高导热氮化硅陶瓷封装基板和铜表面进行离子轰击表面活化处理,在真空状态下将高导热氮化硅陶瓷封装基板与铜活化表面相互贴合,对连接结构施压和加热,从而实现高导热氮化硅陶瓷基板与铜的连接等步骤。其解决了现有高导热氮化硅陶瓷与铜的连接方法存在的连接界面处形成微米级厚度的反应层,阻碍热量的传递的技术问题。该方法可广泛应用于高导热氮化硅陶瓷基板与铜的连接。

著录项

  • 公开/公告号CN111341666A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学(威海);

    申请/专利号CN202010146105.3

  • 申请日2020-03-05

  • 分类号

  • 代理机构北京怡丰知识产权代理有限公司;

  • 代理人于振强

  • 地址 264209 山东省威海市文化西路2号

  • 入库时间 2023-12-17 10:08:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/48 申请日:20200305

    实质审查的生效

  • 2020-06-26

    公开

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