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用于沉积钨成核层的方法及设备

摘要

描述了使用烷基硼烷还原剂沉积低电阻率钨成核层的方法。所用的烷基硼烷还原剂包括具有通式BR3的化合物,其中R是C1‑C6烷基基团。还描述了使用烷基硼烷还原剂进行钨成核层的原子层沉积的设备。

著录项

  • 公开/公告号CN111149190A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201880051546.6

  • 发明设计人 吴凯;柳尚澔;维卡什·班西埃;

    申请日2018-07-12

  • 分类号

  • 代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐金国

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 10:03:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20180712

    实质审查的生效

  • 2020-05-12

    公开

    公开

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