科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN111354658A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-30
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201910821987.6
发明设计人 丁相勋;高镛璇;D.H.金;金台宪;文彰燮;沈雨宽;梁准烈;车世浩;
申请日2019-09-02
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人弋桂芬
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 09:55:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-30
公开
机译: 用于制造半导体器件的湿蚀刻系统和使用该湿蚀刻系统的湿蚀刻方法
机译: 用于半导体器件制造的湿蚀刻设备以及湿蚀刻设备中的蚀刻溶液循环方法
机译:HF / HNO 3 sub>和KOH溶液中的深湿蚀刻对351 nm熔融石英光学器件的抗激光损伤性和表面质量的影响
机译:熔融石英玻璃的深湿蚀刻,用于微流控器件中的空心毛细管漏光波导
机译:使用湿蚀刻氢钝化InP HEMT器件的低噪声低温X波段放大器
机译:通过使用两步各向异性湿蚀刻形成圆形蚀刻曲线
机译:服装中接触性DNA收集方法的研究:传统切割技术与湿式真空系统。
机译:硅各向异性湿蚀刻的能级集方法
机译:ITO通过使用反向移动控制系统来图案化一条线湿蚀刻/清洁系统
机译:等离子体和离子蚀刻用于失效分析。第2部分。使用Technics Giga Etch 100-E等离子蚀刻系统对塑料封装和其他半导体器件材料进行蚀刻