一种基于衬底偏置调控的亚阈值带隙基准电压源

摘要

本发明属于模拟集成电路技术领域，具体为一种基于衬底偏置调控的亚阈值带隙基准电压源，用以解决现有的基于亚阈值技术的低电压带隙基准电压源温度范围窄、尤其是低温时严重受限的问题。本发明包括：亚阈值电流源、PTAT产生电路、CTAT产生电路、反馈电路与电源抑制比增强模块，其中，构成PTAT产生电路的PMOS管的衬底连接于其漏极，大大降低了其产生的衬底电流，使得低温下的基尔霍夫电流定律仍能得到PTAT电压解，从而大幅度扩展了基准电压源的工作温度范围；同时，采用由二极管D1构成的CTAT产生电路，保证低温下CTAT电压不失真，进一步保证了本发明基准电压源的低温适应性；并采用由电容Cc构成的电源抑制比增强模块有效提升电压源的电源抑制比。