AlGaN基同质集成光电子芯片及其制备方法

摘要

本发明提供一种AlGaN基同质集成光电子芯片的制备方法，包括：选择C面具有斜切角的图形化衬底，所述斜切角的角度大于0.1°且小于90°；在图形化衬底上外延生长AlN模板；在AlN模板上生长AlGaN基器件结构；对图形化衬底上外延生长的AlGaN材料翼区以及台面区进行定位；在相应区域制备光探测器件、发光器件以及光波导结构，得到AlGaN基同质集成光电子芯片。上述方法可以提高电子芯片的工作效率。