法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/05 申请日:20191230
实质审查的生效
2020-04-28
公开
公开
机译: 具有栅绝缘层的不同厚度的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的形成方法,该不同厚度的层可以改善低电压金属氧化物半导体场效应晶体管器件和高电压金属氧化物半导体器件的性能
机译: 以超薄金属氧化物为栅极介电层的有机薄膜晶体管及其制备方法
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