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晶锭的制备装置以及碳化硅单晶锭的制备方法

摘要

本发明涉及一种晶锭的制备装置以及使用该装置的碳化硅单晶锭的制备方法,所述晶锭的制备装置包括:坩锅主体,具有开放部且容纳原料;盖子组装体,位于所述开放部且至少一部分固定于所述坩锅主体,所述晶锭的制备装置的特征在于,所述盖子组装体包括:布置孔,上下贯通;外缘构件,以包围所述布置孔的圆周的方式沿着所述开放部的圆周布置;及芯构件,位于所述布置孔且以所述外缘构件为基准上下移动。通过适用所述晶锭的制备装置,可以提供进一步大口径的高质量单晶锭。

著录项

  • 公开/公告号CN111304745A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SKC株式会社;

    申请/专利号CN201910643497.1

  • 申请日2019-07-17

  • 分类号

  • 代理机构成都超凡明远知识产权代理有限公司;

  • 代理人魏彦

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 09:38:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/36 申请日:20190717

    实质审查的生效

  • 2020-06-19

    公开

    公开

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