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一种碳化硅籽晶的粘接方法以及碳化硅单晶晶锭的制备方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅籽晶的粘接方法以及碳化硅单晶晶锭的制备方法。所述碳化硅籽晶的粘接方法为:将碳化硅粉末、碳粉、硅粉,并添加粘结剂混合均匀得到混合粉末,并将其覆于碳化硅晶片上,并在混合粉末上放置碳化硅籽晶,在高温1500℃至2000℃惰性气氛下,使得籽晶与碳化硅晶片粘结紧密,得到碳化硅粘接籽晶,且不引入任何杂质;利用该方法得到的碳化硅粘接籽晶在碳化硅晶体生长炉中,通过PVT法生长碳化硅单晶晶锭时,导热迅速、传热均匀,能够得到高质量的碳化硅单晶晶锭。该方法增加了原料投料空间和投料量,从而增大了单个晶锭的尺寸,增加了单个晶锭的晶片产出,减少了碳化硅晶体生长炉运行成本。

著录项

  • 公开/公告号CN109554759A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 芜湖启迪半导体有限公司;

    申请/专利号CN201811609801.2

  • 申请日2018-12-27

  • 分类号C30B29/36(20060101);C30B23/00(20060101);

  • 代理机构34107 芜湖安汇知识产权代理有限公司;

  • 代理人尹婷婷

  • 地址 241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803

  • 入库时间 2024-02-19 07:32:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/36 申请日:20181227

    实质审查的生效

  • 2019-04-02

    公开

    公开

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