一种具有多晶硅耐压层的逆导型RC-LIGBT器件

摘要

本发明属于半导体功率器件领域，提供一种具有多晶硅耐压层的RC‑LIGBT器件；在传统RC‑IGBT器件基础上，在表面耐压区和氧化层上方引入多晶硅耐压层构成一个反并联二极管；在器件反向工作状态时，形成电流流通路径，使得器件具有反向导电能力；在器件正向工作时，优化了RC‑LIGBT导通压降和关断损耗的矛盾关系；更重要的是，在器件正向导通时，多晶硅耐压层构成的二极管反偏，因此本发明结构不会出现电压回折现象，提高了器件电学性能。