带激光直写的分子束外延薄膜生长装置及方法

摘要

本发明涉及一种带激光直写的分子束外延薄膜生长装置及方法，主要包括：2个及2个以上的发射源、反射高能电子衍射仪（RHEED）、RHEED对应的衍射接收屏、衬底安置台、其他在线监测装置、激光直写装置等，本发明的特点为在薄膜生长过程中利用激光直写对薄膜进行图形化。薄膜每沉积一定的厚度便用激光对其表面进行图形化，此过程反复进行，图形化的作用一为释放生长薄膜的应力，二为促使薄膜侧向外延生长，从而提高外延生长的质量和均匀性。