基于AlN/GaN超晶格沟道的双向阻断功率器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于AlN/GaN超晶格沟的双向阻断功率器件，主要解决现有技术击穿电压较低，电子迁移率低的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、合金层(4)、势垒层(5)和帽层(6)，该帽层的两侧上方设有源极(7)和漏极(8)，帽层的中间上部设有栅极(9)；栅极分别与源极和漏极之间为钝化层(10)；该合金层(4)采用由AlN与GaN交替分布的AlGaN超晶格沟道结构。本发明改善了生长晶体的质量，增加了沟道电子的迁移率和击穿特性，降低了器件的导通电阻，提升了击穿电压，可用于高压下的高功率转换开关。