单层石墨烯的双面掺杂及多层石墨烯的双侧掺杂方法

摘要

本发明提供了单层石墨烯的双面掺杂及多层石墨烯的双侧掺杂方法，涉及二维材料的加工改性和器件应用技术领域。本发明的单层石墨烯的双面掺杂或多层石墨烯的双侧掺杂，包括单层或多层石墨烯薄膜的生长、一面或一侧掺杂层的生成、柔性支撑层的生成、催化金属衬底的去除、另一面或另一侧掺杂层的生成这些步骤，利用柔性支撑层转移单层或多层石墨烯前后的两个阶段，分别对石墨烯薄膜的两个面进行掺杂材料的修饰，以实现单层或多层石墨烯的双面或双侧掺杂，相较于传统的石墨烯单侧顶掺杂工艺，双面或双侧掺杂的方法显著提高石墨烯的导电性，且能带的可调节范围更广泛，改善了石墨烯基电子器件的性能并能满足不同的应用需求。